سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر

بدأت سامسونج الآن بعمليات الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي DDR4 فئة 8 جيجابت بتقنية 10 نانومتر، والتي سوف تكون الأساس لذاكرة الوصول العشوائي DDR4 الخاصة بها في المستقبل.

جيل الجديد من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ستكون 10٪ أسرع و15٪ أكثر كفاءة عن سابقتها.

ذاكرة 8Gb DDR4 الجديدة يمكنها القيام بعمليات تصل إلى 3،600 ميجا بت في الثانية مقارنة مع 3،200 ميجا بت في الثانية في الجيل السابق.

كل هذا يعني أن سامسونج لديها قاعدة أفضل سوف تبدأ بها قريبًا إنتاج ذاكرة وصول عشوائي أسرع لاستخدامها في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر، والساعات الذكية وجميع أنواع الأجهزة الذكية.